1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.382.2Микроэлектронные приборы и системыMethod of Calculating the Thermal Characteristics of Silicon tvs-Diodes Pulsed ModeМетодика расчета тепловых характеристик кремниевых ограничителей напряжения в импульсном режиме239245http://ivuz-e.ru/en/issues/3-_2015/metodika_rascheta_teplovykh_kharakteristik_kremnievykh_ogranichiteley_napryazheniya_v_impulsnom_rezh/

The dependence of thermal characteristics of a tvs-diode in passing the pulsed overload has been investigated. The dependencies of the pulsed voltage limitations and current on time have been analyzed. Based on the analysis of the dependencies the thermal characteristics of tvs-diodes have been calculated. It has been shown that the parameters of the tvs-diode degrade, when the current density achieves 160 - 300 A/cm and the critical temperature - 250 - 300 °C. The dependencies of the heat resistance and the critical temperature on the voltage tvs-diodes density and pulse duration have been presented.

Исследована зависимость тепловых характеристик ограничителей напряжения при прохождении импульсной перегрузки. Проанализированы зависимости импульсного напряжения ограничения и тока от времени. На основе анализа зависимостей проведены расчеты тепловых характеристик ограничителей напряжения. Показано, что параметры ограничителей напряжения деградируют при достижении плотности тока 160 - 300 А/см и критической температуры 250 - 300 °С. Представлены зависимости теплового сопротивления и критической температуры ограничителей напряжения от плотности тока и длительности импульса.