The technique of forming the periodical lengthy (up to 30 μm) nanometer layers with 70 nm cross-section and 2-3 nm depths has been developed. The etching velocity of gallium ions, accelerated by 30 kV voltages of such materials as GaAs, AlGaN, Al and Si, used for creation of acoustic-electron transducers, has been measured. The possibility of polishing the AlGaN surface by ion beam up to 0,5-0,7 nm roughness levels has been demonstrated.
Разработана методика формирования периодических протяженных (до 30 мкм) нанометровых слоев с характерными поперечными размерами 70 нм и глубиной 2-3 нм. Измерена скорость травления пучком ионов галлия, ускоренных напряжением 30 кВ, таких материалов, как GaAs, AlGaN, Al и Si, используемых для создания акустоэлектронных преобразователей. Показана возможность полировки ионным пучком поверхности AlGaN до уровня шероховатости 0,5-0,7 нм.