The implementation of such technology of data transmission as Li-Fi requires photodetectors that are optically sensitive in the visible range of wavelengths. The photomultiplier tubes are characterized by highest sensibility in this wavelength range, but also by large size, higher power supply voltage, and frangibility. An alternative to the mentioned type of photodetectors is a silicon photomultiplier tube (Si-PMT) characterized by good sensibility in the visible range of wavelengths. In this work, the throughput of an optical communication channel with an information receiver in the form of a Si-PMT is investigated. As a result, it was found that the highest throughput value corresponded to the supply voltage value equal to the breakdown voltage of the Si-PMT, and to the optical radiation wavelengths of 470 nm. It has been established that an increase in temperature causes a decrease in the transmission capacity of the photodetector, and an increase in the optical pulses’ radiant exposure leads to an increase in the transmission capacity. The results obtained can be used in the development of optical communication systems.
1. Arya V., Priya P., Omanakuttan R., Baby S. LiFi: The future technology in wireless communication // International Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and In-strumentation Engineering. 2015. Vol. 4. Iss. 4. P. 2340–2343.
2. Sarkar A., Agarwal S., Nath A. Li-Fi technology: Data transmission through visible light // International Journal of Advance Research in Computer Science and Management Stu-dies. 2015. Vol. 3. Iss. 6. P. 1–12.
3. Макаренко В. Технология LI-FI как альтернатива WI-FI // ЭКиС. 2020. № 1 (229). С. 46–51.
4. A comprehensive model of the response of silicon photomultipliers / Н. T. van Dam, S. Seifert, R. Vinke et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2010. Vol. 57. No. 4. P. 2254–2266. doi: https://doi.org/10.1109/TNS.2010.2053048
5. Modi M. N., Daie K., Turner G. C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon pho-tomultipliers // Optics Express. 2019. Vol. 27. Iss. 24. Р. 35830–35841. doi: https://doi.org/10.1364/OE.27.035830
6. Кремниевый фотоэлектронный умножитель: новые возможности / С. Клемин, Ю. Кузнецов, Л. Филатов и др. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. № 8 (82). С. 80–86.
7. Sadygov Z., Sadygov A., Khorev S. Silicon photomultipliers: status and prospects // Письма в журнал Физика элементарных частиц и атомного ядра. 2020. Т. 17. № 2 (227). С. 132.
8. Пат. 2650417 РФ. Полупроводниковый лавинный фотоприемник / З. Я. Садыгов, А. З. Садыгов. Заявл.: 25.04.2017; опубл.: 13.04.2018, Бюл. № 11. 9 с.
9. Технология изготовления микропиксельных лавинных фотодиодов и компактной матрицы на их основе / З. Садыгов, А. Ариффин, Ф. Ахмедов и др. // Письма в журнал Физика элементарных частиц и атомного ядра. 2014. Т. 10. № 7 (184). С. 1268–1273.
10. Шубин В. В. Информационная безопасность волоконно-оптических систем. Саров: РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2015. 258 с.
11. Гулаков И. Р., Зеневич А. О., Кочергина О. В. Спектральные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей // Успехи прикладной физики. 2021. Т. 9. № 2. С. 164–171.
12. Гулаков И. Р., Зеневич А. О. Фотоприемники квантовых систем. Минск: ВГКС, 2012. 276 с.
13. Yao M., Shah G., Fang J. Highly sensitive and miniaturized fluorescence detection sys-tem with an autonomous capillary fluid manipulation chip // Micromachines. 2012. Vol. 3 (2). Р. 462–479. doi: https://doi.org/10.3390/mi3020462
14. Асаёнок М. А., Горбадей О. Ю., Зеневич А. О. Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей // Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники. 2018. № 2 (112). С. 54–58.
15. Асаёнок М. А., Зеневич А. О., Кочергина О. В., Новиков Е. В. Исследование шу-мовых характеристик кремниевых фотоэлектронных умножителей при регистрации оптических импульсов // Проблемы инфокоммуникаций. 2020. № 2-2 (12). С. 41–46.