<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="udk">621.373.54</article-id><article-categories><subj-group><subject>Краткие сообщения</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Impulse Power Supply of GaN Transistors</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Импульсный источник питания GaN-транзисторов</trans-title></trans-title-group></title-group><fpage>88</fpage><lpage>90</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/en/issues/1-_2016/impulsnyy_istochnik_pitaniya_gan_tranzistorov/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/en/download/1_2016_1772_en.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The circuit of the high power pulse amplifier supply has been proposed. The circuit of the pulse supply includes the constant voltage source, and the keys controlled by external signals. The maximum power of the amplifier supply at the moment of pulse is provided by the capacitor accumulated energy.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Предложена схема импульсного источника питания усилителей большой мощности на базе GaN-транзисторов. Схема импульсного источника питания содержит источник постоянного напряжения, конденсаторы и управляемые внешними сигналами ключи. Максимальная мощность питания усилителя во время импульса обеспечивается накопленной энергией конденсатора.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd/></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Федоров А. Работа мощных GaN-транзисторов Microsemi в импульсном режиме // Вестник электроники. – 2013. – № 4. – С. 3–5.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Yi H., Hong. Design high speed pulsed power amplifier using LDMOS FET // Progress in Electromagnetics Research M. – 2008. – Vol. 2. – Р.153–165.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
